창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N04S3-03 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-03 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPB80N04S3-03CT IPB80N04S3-03CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N04S3-03 | |
관련 링크 | IPB80N0, IPB80N04S3-03 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | GQM1555C2A390FB01D | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2A390FB01D.pdf | |
![]() | HD146818AP/P | HD146818AP/P HITACHI N A | HD146818AP/P.pdf | |
![]() | DAC100ACQ2 | DAC100ACQ2 PMI CDIP16 | DAC100ACQ2.pdf | |
![]() | 338A | 338A RICOH MSOP10 | 338A.pdf | |
![]() | ILD251-X016 | ILD251-X016 VISHAY DIP-8 | ILD251-X016.pdf | |
![]() | LB1011B | LB1011B LUCENT DIP-8 | LB1011B.pdf | |
![]() | TK11130 | TK11130 TOKO TO23-5 | TK11130.pdf | |
![]() | RC0805FR-07133K | RC0805FR-07133K YGO SMD | RC0805FR-07133K.pdf | |
![]() | A52.100 | A52.100 ORIGINAL SMD or Through Hole | A52.100.pdf | |
![]() | GPTW3V340HSG001 | GPTW3V340HSG001 ORIGINAL SMD or Through Hole | GPTW3V340HSG001.pdf | |
![]() | FDVE0630-4R7M=P3 | FDVE0630-4R7M=P3 TOKO SMD or Through Hole | FDVE0630-4R7M=P3.pdf | |
![]() | MCX636 | MCX636 N/A SOP | MCX636.pdf |