창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB77N06S212ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB,IPP77N06S2-12 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.7m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 93µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 158W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB77N06S2-12 IPB77N06S2-12-ND SP000218173 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB77N06S212ATMA1 | |
관련 링크 | IPB77N06S2, IPB77N06S212ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | PESD12VS1UL,315 | TVS DIODE 12VWM 35VC SOD882 | PESD12VS1UL,315.pdf | |
![]() | VS-20ETF08-M3 | DIODE INPUT 20A TO-220 | VS-20ETF08-M3.pdf | |
![]() | PKM34EW1190C | PKM34EW1190C MURATA SMD or Through Hole | PKM34EW1190C.pdf | |
![]() | 71991CA | 71991CA ORIGINAL SOP8 | 71991CA.pdf | |
![]() | TC51V12165BFT60 | TC51V12165BFT60 TOS TSOP2 | TC51V12165BFT60.pdf | |
![]() | FS10R06XE3 | FS10R06XE3 EUPEC IGBT3 | FS10R06XE3.pdf | |
![]() | HG301 | HG301 ORIGINAL SMD or Through Hole | HG301.pdf | |
![]() | S56F8345VFQE | S56F8345VFQE ORIGINAL SMD or Through Hole | S56F8345VFQE.pdf | |
![]() | 54LS366AJ | 54LS366AJ TI DIP | 54LS366AJ.pdf | |
![]() | NA24W-K-24vdc | NA24W-K-24vdc ORIGINAL SMD or Through Hole | NA24W-K-24vdc.pdf | |
![]() | P5LU-0505ZH40LF | P5LU-0505ZH40LF PEAK SIP | P5LU-0505ZH40LF.pdf | |
![]() | S-1170B17UC-OTC-T2G | S-1170B17UC-OTC-T2G SEIKO SOT89-5 | S-1170B17UC-OTC-T2G.pdf |