Infineon Technologies IPB70P04P409ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB70P04P409ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH TO263-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB70P04P409ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 604.72500
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB70P04P409ATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB70P04P409ATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB70P04P409ATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB70P04P409ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB70P04P409ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB70P04P409ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx70P04P4-09 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000735964 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB70P04P409ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB70P04P4, IPB70P04P409ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB70P04P409ATMA1 의 관련 제품
 | MKP385451085JKP2T0 | 0.51µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP385451085JKP2T0.pdf | |
 | 9B-3.579545MAAE-B | 3.579545MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-3.579545MAAE-B.pdf | |
 | 1PMT4117C/TR13 | DIODE ZENER 25V 1W DO216 | 1PMT4117C/TR13.pdf | |
-TDK.jpg) | MLF2012DR27JTD25 | 270nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 350 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012DR27JTD25.pdf | |
| JRC2209 | JRC2209 JRC SOP | JRC2209.pdf | |
| HM628512BLP1-7 | HM628512BLP1-7 ORIGINAL DIP32 | HM628512BLP1-7.pdf | |
| RB160M-40 TR | RB160M-40 TR ROHM DIODEPBFREE | RB160M-40 TR.pdf | |
| UCN2982LWTR | UCN2982LWTR ALLEGRO SOP16 | UCN2982LWTR.pdf | |
| NELEDTS-140-2-DC-SLR | NELEDTS-140-2-DC-SLR ORIGINAL SMD or Through Hole | NELEDTS-140-2-DC-SLR.pdf | |
| SCH2411 | SCH2411 SANYO SMD or Through Hole | SCH2411.pdf | |
| C0603C391J5GAC 7867 | C0603C391J5GAC 7867 KEMETELECTRONICS SMD or Through Hole | C0603C391J5GAC 7867.pdf | |
| MSK5043G | MSK5043G MSK SMD | MSK5043G.pdf |