창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB70P04P409ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx70P04P4-09 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000735964 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB70P04P409ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB70P04P4, IPB70P04P409ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C2012JB1H224M125AA | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1H224M125AA.pdf | |
![]() | SR211C332KARTR1 | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211C332KARTR1.pdf | |
![]() | ERJ-P06D2200V | RES SMD 220 OHM 0.5% 1/2W 0805 | ERJ-P06D2200V.pdf | |
![]() | HMS99C58SQ | HMS99C58SQ HYNIX QFP | HMS99C58SQ.pdf | |
![]() | PR0210R5% | PR0210R5% PHI RES | PR0210R5%.pdf | |
![]() | MIC4684YM-TR | MIC4684YM-TR MICREL SOP8 | MIC4684YM-TR.pdf | |
![]() | 0402 8.2UH K | 0402 8.2UH K TASUND SMD or Through Hole | 0402 8.2UH K.pdf | |
![]() | SC16C654BIA68,529 | SC16C654BIA68,529 NXP SMD or Through Hole | SC16C654BIA68,529.pdf | |
![]() | VHI7SH86FU1-1 | VHI7SH86FU1-1 SHARP SMD or Through Hole | VHI7SH86FU1-1.pdf | |
![]() | TA8221AL | TA8221AL TOSHIBA ZIP-17 | TA8221AL.pdf | |
![]() | UN72191 | UN72191 ORIGINAL SOP | UN72191.pdf | |
![]() | DI-6420R-9 | DI-6420R-9 ORIGINAL DIP | DI-6420R-9.pdf |