창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB65R225C7ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB65R225C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 225m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 996pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB65R225C7ATMA1TR SP000992480 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB65R225C7ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB65R225, IPB65R225C7ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AC-23-18E-80.000000T | OSC XO 1.8V 80MHZ OE | SIT8208AC-23-18E-80.000000T.pdf | |
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![]() | BDS-4020R-101M | BDS-4020R-101M BUJEON SMD or Through Hole | BDS-4020R-101M.pdf | |
![]() | SGA3786 | SGA3786 SIRENZA SO86 | SGA3786.pdf | |
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![]() | GM2221-BC | GM2221-BC GENESIS QFP | GM2221-BC.pdf | |
![]() | K4S641633H-RN75 | K4S641633H-RN75 SEC BGA | K4S641633H-RN75.pdf | |
![]() | SY69952LZI | SY69952LZI SY SOP28 | SY69952LZI.pdf | |
![]() | LQW18AN47NJ10 | LQW18AN47NJ10 MURATA SMD | LQW18AN47NJ10.pdf |