창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB65R150CFDAATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R150CFDA | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 9.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 900µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2340pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 195.3W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000928270 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB65R150CFDAATMA1 | |
관련 링크 | IPB65R150C, IPB65R150CFDAATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 12061A200KAT2A | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A200KAT2A.pdf | |
![]() | 54001300 | 54001300 FCI SMD or Through Hole | 54001300.pdf | |
![]() | CD4032D | CD4032D NXP SOP20 | CD4032D.pdf | |
![]() | BZC83C43V | BZC83C43V ORIGINAL DO-35 | BZC83C43V.pdf | |
![]() | S1460AF-A68-TF | S1460AF-A68-TF ORIGINAL SMD28 | S1460AF-A68-TF.pdf | |
![]() | ECQB1H471J | ECQB1H471J Pan SMD or Through Hole | ECQB1H471J.pdf | |
![]() | 250USG680M22X45 | 250USG680M22X45 RUBYCON DIP | 250USG680M22X45.pdf | |
![]() | 1100B4 | 1100B4 ORIGINAL QFN16 | 1100B4.pdf | |
![]() | ADC8031CCWM | ADC8031CCWM ORIGINAL SOP | ADC8031CCWM.pdf | |
![]() | FTRK1CK018WMA | FTRK1CK018WMA FUJITSU SMD or Through Hole | FTRK1CK018WMA.pdf | |
![]() | Y42X | Y42X ORIGINAL SMD or Through Hole | Y42X.pdf | |
![]() | ERJ2GEJ106 | ERJ2GEJ106 ORIGINAL NA | ERJ2GEJ106.pdf |