창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB65R150CFDAATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R150CFDA | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 9.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 900µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2340pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 195.3W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000928270 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB65R150CFDAATMA1 | |
관련 링크 | IPB65R150C, IPB65R150CFDAATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 0402ZJ2R2BBWTR | 2.2pF Thin Film Capacitor 10V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 0402ZJ2R2BBWTR.pdf | |
![]() | 3386P-1-105LF | 1M Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3386P-1-105LF.pdf | |
![]() | PEL12T-4026G-S1024 | ENCODER | PEL12T-4026G-S1024.pdf | |
![]() | UPC252 | UPC252 NEC CAN | UPC252.pdf | |
![]() | VLF3010AT-100MR59 | VLF3010AT-100MR59 TDK SMD or Through Hole | VLF3010AT-100MR59.pdf | |
![]() | MAX97000EWA+T | MAX97000EWA+T MAXIM WLP | MAX97000EWA+T.pdf | |
![]() | LH2114L-20 | LH2114L-20 SHARP DIP | LH2114L-20.pdf | |
![]() | D2951 | D2951 ORIGINAL SOP-8 | D2951.pdf | |
![]() | QG82945GC/SLA9C | QG82945GC/SLA9C INTEL BGA | QG82945GC/SLA9C.pdf | |
![]() | HGTP30N60A4 | HGTP30N60A4 ORIGINAL TO-220 | HGTP30N60A4.pdf | |
![]() | AH282WLA | AH282WLA ANACHIP/DIODES SMD or Through Hole | AH282WLA.pdf | |
![]() | FC1410TCBM0 | FC1410TCBM0 NSC DIPSOP | FC1410TCBM0.pdf |