창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R299CP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB60R299CP | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB60R299CP-ND IPB60R299CPATMA1 SP000301161 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB60R299CP | |
관련 링크 | IPB60R, IPB60R299CP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
K562M10X7RH53H5 | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K562M10X7RH53H5.pdf | ||
ASPI-7318-R22M-T | 220nH Shielded Wirewound Inductor 22A 3.1 mOhm Max Nonstandard | ASPI-7318-R22M-T.pdf | ||
RC0805DR-0788K7L | RES SMD 88.7K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-0788K7L.pdf | ||
CMF5591R000FEEB | RES 91 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5591R000FEEB.pdf | ||
LC4128V-75T100-10ILATTICE | LC4128V-75T100-10ILATTICE LATTICE TQFP100 | LC4128V-75T100-10ILATTICE.pdf | ||
1084-4030 | 1084-4030 MOLEX SMD or Through Hole | 1084-4030.pdf | ||
SFH203PFA | SFH203PFA Osram/ 5mm | SFH203PFA.pdf | ||
steckachse5012w | steckachse5012w pih SMD or Through Hole | steckachse5012w.pdf | ||
MCM7621DC | MCM7621DC ORIGINAL DIP-16 | MCM7621DC.pdf | ||
P87C51FC-JB | P87C51FC-JB PHILIPS QFP | P87C51FC-JB.pdf | ||
GP9101ADJL | GP9101ADJL GP SOT23-5 | GP9101ADJL.pdf | ||
BL-R2121K | BL-R2121K BRIGHT ROHS | BL-R2121K.pdf |