창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R280P6ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R280P6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 5.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 430µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO-263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001364468 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB60R280P6ATMA1 | |
관련 링크 | IPB60R280, IPB60R280P6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
B41888C4567M | 560µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 64 mOhm @ 10kHz 7000 Hrs @ 105°C | B41888C4567M.pdf | ||
![]() | BFC241932403 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | BFC241932403.pdf | |
![]() | RG3216N-4021-B-T5 | RES SMD 4.02K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-4021-B-T5.pdf | |
![]() | 16PJ101-EX | 16PJ101-EX KOBICONN/WSI SMD or Through Hole | 16PJ101-EX.pdf | |
![]() | XC3090-70PQG160I | XC3090-70PQG160I XILINX QFP | XC3090-70PQG160I.pdf | |
![]() | ST62TO1CB6 | ST62TO1CB6 ST DIP | ST62TO1CB6.pdf | |
![]() | CH33T576 | CH33T576 IR QFN | CH33T576.pdf | |
![]() | MT48LC16M16A2TC-75D | MT48LC16M16A2TC-75D MICRON TSOP | MT48LC16M16A2TC-75D.pdf | |
![]() | GH07885D2CH1 | GH07885D2CH1 SHARP SMD or Through Hole | GH07885D2CH1.pdf | |
![]() | US1MWZ | US1MWZ ORIGINAL SMA(W) | US1MWZ.pdf | |
![]() | HSB88AS-E | HSB88AS-E Renesas SMD or Through Hole | HSB88AS-E.pdf |