Infineon Technologies IPB60R280C6

IPB60R280C6
제조업체 부품 번호
IPB60R280C6
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
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내부 부품 번호EIS-IPB60R280C6
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx60R280C6
제품 교육 모듈CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C13.8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs280m옴 @ 6.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 430µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs43nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds950pF @ 100V
전력 - 최대104W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB60R280C6-ND
IPB60R280C6ATMA1
IPB60R280C6TR
SP000687550
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB60R280C6
관련 링크IPB60R, IPB60R280C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPB60R280C6 의 관련 제품
37.5MHz ±10ppm 수정 12pF 80옴 0°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ABLS-37.500MHZ-12-1-U-F-T.pdf
DIODE ZENER 16V 500MW DO7 1N966A.pdf
RES 330 OHM 1/4W 5% AXIAL CMF50330R00JKEB.pdf
CV1A100MBAANG SANYO SMD CV1A100MBAANG.pdf
HD61917A02 HIT QFP-8014 HD61917A02.pdf
74FCT2373ATQ IC SMD or Through Hole 74FCT2373ATQ.pdf
PM10CNA60 MITSUBIS SMD or Through Hole PM10CNA60.pdf
AQV251AJ ORIGINAL SMD or Through Hole AQV251AJ.pdf
91269-104LF FCIELX SMD or Through Hole 91269-104LF.pdf
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