창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB60R280C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R280C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 430µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB60R280C6-ND IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6TR SP000687550 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB60R280C6 | |
| 관련 링크 | IPB60R, IPB60R280C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | P6KE300C-G | TVS DIODE 243VWM 430VC DO15 | P6KE300C-G.pdf | |
![]() | 416F37023IDR | 37MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37023IDR.pdf | |
![]() | AA1218JK-0756RL | RES SMD 56 OHM 1W 1812 WIDE | AA1218JK-0756RL.pdf | |
![]() | KSV284T280-08 | KSV284T280-08 ORIGINAL SMD or Through Hole | KSV284T280-08.pdf | |
![]() | 30KP170A | 30KP170A VISHAY/LITTE R-6 | 30KP170A.pdf | |
![]() | X32D73 | X32D73 MOT TQFP | X32D73.pdf | |
![]() | K4E660812D-TC60 | K4E660812D-TC60 SAMSUNG TSOP | K4E660812D-TC60.pdf | |
![]() | RN1308(TE85L.F) | RN1308(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1308(TE85L.F).pdf | |
![]() | 48TSSOP | 48TSSOP UNISEM SMD | 48TSSOP.pdf | |
![]() | SAFEB1G95FLOF26R14 | SAFEB1G95FLOF26R14 ORIGINAL QFN | SAFEB1G95FLOF26R14.pdf | |
![]() | ZBK2-0002 | ZBK2-0002 ZILOG NC | ZBK2-0002.pdf | |
![]() | KE-3SM | KE-3SM n/a na | KE-3SM.pdf |