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Infineon Technologies IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1
제조업체 부품 번호
IPB60R190P6ATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V TO263-3
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내부 부품 번호EIS-IPB60R190P6ATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx60R190P6
주요제품Solutions for 3D Printers
Automatic Opening Systems
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™ P6
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20.2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs190m옴 @ 7.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 630µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs37nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1750pF @ 100V
전력 - 최대151W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263
표준 포장 1,000
다른 이름IPB60R190P6ATMA1TR
SP001364462
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPB60R190P6ATMA1
관련 링크IPB60R190, IPB60R190P6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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