창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R190P6ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R190P6 | |
주요제품 | Solutions for 3D Printers Automatic Opening Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB60R190P6ATMA1TR SP001364462 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB60R190P6ATMA1 | |
관련 링크 | IPB60R190, IPB60R190P6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | D392Z25Y5VH63L2R | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D392Z25Y5VH63L2R.pdf | |
![]() | A221K15C0GL5UAA | 220pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A221K15C0GL5UAA.pdf | |
![]() | LF356AHB | LF356AHB AMD Call | LF356AHB.pdf | |
![]() | NTH5G16P45A474J07TH | NTH5G16P45A474J07TH MURATA SMD | NTH5G16P45A474J07TH.pdf | |
![]() | EC2EE21 | EC2EE21 Cincon SMD or Through Hole | EC2EE21.pdf | |
![]() | RVG3A01-102VM-TL | RVG3A01-102VM-TL MURATA 2500REEL | RVG3A01-102VM-TL.pdf | |
![]() | ERJ3GSYJ680V | ERJ3GSYJ680V N/A SMD or Through Hole | ERJ3GSYJ680V.pdf | |
![]() | 2SJ299 | 2SJ299 ORIGINAL TO-252 | 2SJ299.pdf | |
![]() | AP1506-5. | AP1506-5. ORIGINAL TO-263-5 | AP1506-5..pdf | |
![]() | UA7810UC | UA7810UC FSC SMD or Through Hole | UA7810UC.pdf | |
![]() | CU82332/ISS | CU82332/ISS NSC PLCC | CU82332/ISS.pdf |