창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R190C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R190C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6INTR SP000641916 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB60R190C6 | |
관련 링크 | IPB60R, IPB60R190C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D1R4DXBAP | 1.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R4DXBAP.pdf | |
![]() | B32653A4154K | 0.15µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.236" W (26.50mm x 6.00mm) | B32653A4154K.pdf | |
![]() | S0603-39NJ3B | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-39NJ3B.pdf | |
![]() | AOL1420 | AOL1420 AOS SOP8 | AOL1420.pdf | |
![]() | I520 | I520 IR TO-220F | I520.pdf | |
![]() | 66TI | 66TI TEXAS MSOP-10 | 66TI.pdf | |
![]() | MC-5349 | MC-5349 MELDAS SIP16 | MC-5349.pdf | |
![]() | LM9036DT-5.0/NOPB | LM9036DT-5.0/NOPB NS SMD or Through Hole | LM9036DT-5.0/NOPB.pdf | |
![]() | FF14-8A-R12BL-3H-D3 | FF14-8A-R12BL-3H-D3 DDK ROHS | FF14-8A-R12BL-3H-D3.pdf | |
![]() | LY2-0-APDC12 | LY2-0-APDC12 OMRON SMD or Through Hole | LY2-0-APDC12.pdf | |
![]() | BZW50-62 | BZW50-62 ST R6 | BZW50-62.pdf |