창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB60R160P6ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R160P6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 750µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 176W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001313876 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB60R160P6ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB60R160, IPB60R160P6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 600S1R0BT250XT | 1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S1R0BT250XT.pdf | |
![]() | NTB45N06LT4G | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK | NTB45N06LT4G.pdf | |
![]() | MP6-1E-1N-1R-1R-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-1E-1N-1R-1R-00.pdf | |
| EFR32MG1B232F256GM32-B0 | IC MCU 32BIT 256KB 32QFN | EFR32MG1B232F256GM32-B0.pdf | ||
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![]() | LO-XR1606X-XXX | LO-XR1606X-XXX ORIGINAL SMD or Through Hole | LO-XR1606X-XXX.pdf | |
![]() | M3R14TCJ25.000 | M3R14TCJ25.000 Mtron SMD or Through Hole | M3R14TCJ25.000.pdf | |
![]() | RLZTE-11 27C(27V) | RLZTE-11 27C(27V) ROHM LL-34 | RLZTE-11 27C(27V).pdf | |
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