Infineon Technologies IPB60R099CP

IPB60R099CP
제조업체 부품 번호
IPB60R099CP
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPB60R099CP 가격 및 조달

가능 수량

10550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 4,463.43956
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPB60R099CP 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB60R099CP 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB60R099CP가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPB60R099CP 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPB60R099CP 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB60R099CP
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPB60R099CP
제품 교육 모듈CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C31A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs99m옴 @ 18A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 1.2mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2800pF @ 100V
전력 - 최대255W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB60R099CP-ND
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099CPTR
IPB60R099CPXT
IPB60R099CSXT
SP000088490
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPB60R099CP
관련 링크IPB60R, IPB60R099CP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPB60R099CP 의 관련 제품
RES SMD 620 OHM 0.25% 1/16W 0402 AT0402CRD07620RL.pdf
SENSOR TEMP ANLG VOLT TO-92-3 LM61BIZ/LFT3.pdf
PMST3904 115 N/A SMD or Through Hole PMST3904 115.pdf
N0036823 OTHER SMD or Through Hole N0036823.pdf
TLZ56-GS08(56V) VISHAY LL34 TLZ56-GS08(56V).pdf
HT7030-A HT SOT-89 HT7030-A.pdf
AT45DB0011B ATMEL TSSOP AT45DB0011B.pdf
100K(1003)±1%0805 ORIGINAL SMD or Through Hole 100K(1003)±1%0805.pdf
LM2598S-12 NS TO263-7 LM2598S-12 .pdf