Infineon Technologies IPB60R099C6
- 제조업체 부품 번호
- IPB60R099C6
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB60R099C6 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,012.69196
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB60R099C6 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB60R099C6 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB60R099C6가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB60R099C6 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB60R099C6 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB60R099C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R099C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 18.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.21mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 119nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB60R099C6-ND IPB60R099C6ATMA1 SP000687468 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB60R099C6 | |
| 관련 링크 | IPB60R, IPB60R099C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB60R099C6 의 관련 제품
 | BFC238350753 | 0.075µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | BFC238350753.pdf | |
 | CD4FD151GO3F | 150pF Mica Capacitor 500V Radial 0.339" L x 0.161" W (8.60mm x 4.10mm) | CD4FD151GO3F.pdf | |
 | MBA02040C1180FCT00 | RES 118 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1180FCT00.pdf | |
| LNK562D | LNK562D POWER/ SOIC-7 | LNK562D.pdf | |
| 2SA1163-GR(TE85L | 2SA1163-GR(TE85L toshiba SMD or Through Hole | 2SA1163-GR(TE85L.pdf | |
| EUA2011H1R1 | EUA2011H1R1 EUTECH SMD or Through Hole | EUA2011H1R1.pdf | |
| MAX551AEPA+ | MAX551AEPA+ MAXIM DIP8 | MAX551AEPA+.pdf | |
| C4532JB1H155K | C4532JB1H155K TDK SMD or Through Hole | C4532JB1H155K.pdf | |
| FSQ500N==Fairchild | FSQ500N==Fairchild ORIGINAL DIP-8 | FSQ500N==Fairchild.pdf | |
| UPD75216AGF-806-3BE | UPD75216AGF-806-3BE NEC SMD or Through Hole | UPD75216AGF-806-3BE.pdf | |
| UA708 | UA708 ORIGINAL SMD or Through Hole | UA708.pdf | |
| DAC1205BCJ | DAC1205BCJ AD SMD or Through Hole | DAC1205BCJ.pdf |