창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB50N10S3L-16 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx50N10S3L-16 | |
| 카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 60µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB50N10S3L-16-ND IPB50N10S3L-16INTR IPB50N10S3L16 IPB50N10S3L16ATMA1 SP000386183 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB50N10S3L-16 | |
| 관련 링크 | IPB50N10, IPB50N10S3L-16 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FCX605TA | TRANS NPN DARL 120V 1A SOT-89 | FCX605TA.pdf | |
![]() | CRCW0805107KFKEA | RES SMD 107K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805107KFKEA.pdf | |
![]() | CMF557K5000FKEA70 | RES 7.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF557K5000FKEA70.pdf | |
![]() | VCT8398P-WL-A4 | VCT8398P-WL-A4 ORIGINAL BGA | VCT8398P-WL-A4.pdf | |
![]() | LA7920 | LA7920 SANYO ZIP | LA7920.pdf | |
![]() | MX536AJCWE+ | MX536AJCWE+ MAXIM SOP16 | MX536AJCWE+.pdf | |
![]() | S2G3Sx-231M-E05 | S2G3Sx-231M-E05 SEMITEL SOP | S2G3Sx-231M-E05.pdf | |
![]() | HI24LC08 | HI24LC08 ORIGINAL SOP | HI24LC08.pdf | |
![]() | 20468-004-XTD | 20468-004-XTD ORIGINAL SMD or Through Hole | 20468-004-XTD.pdf | |
![]() | PT2352 | PT2352 PTC DIP28 | PT2352.pdf | |
![]() | M62364FP-DF1G | M62364FP-DF1G RENESAS SMD or Through Hole | M62364FP-DF1G.pdf | |
![]() | 2.5SMCJ130CA | 2.5SMCJ130CA SEMIKRON DO-214AB | 2.5SMCJ130CA.pdf |