Infineon Technologies IPB47N10S33ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB47N10S33ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB47N10S33ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
10550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 810.37750
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB47N10S33ATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB47N10S33ATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB47N10S33ATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB47N10S33ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB47N10S33ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB47N10S33ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx47N10S-33 | |
| 카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 175W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB47N10S-33 IPB47N10S-33-ND IPB47N10S-33TR IPB47N10S-33TR-ND IPB47N10S33 SP000225702 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB47N10S33ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB47N10S, IPB47N10S33ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB47N10S33ATMA1 의 관련 제품
.jpg) | GQM22M5C2H820FB01L | 82pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) | GQM22M5C2H820FB01L.pdf | |
-5.00-mm-x-3.20-mm.jpg) | DSC1001BI5-024.0000T | 24MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001BI5-024.0000T.pdf | |
 | MT5634SMI-ITP-92.R2OEM8206 | MT5634SMI-ITP-92.R2OEM8206 Multitech SMD or Through Hole | MT5634SMI-ITP-92.R2OEM8206.pdf | |
| 32H6829GICGT | 32H6829GICGT S LQFP | 32H6829GICGT.pdf | |
| STK16/08 | STK16/08 SEMIKRON SMD or Through Hole | STK16/08.pdf | |
| MA2Q0100L | MA2Q0100L Panasonic SMA | MA2Q0100L.pdf | |
| 4-1672273-6 | 4-1672273-6 TECONNECTIVITYEO SMD or Through Hole | 4-1672273-6.pdf | |
| TDA9981B | TDA9981B n/a SMD or Through Hole | TDA9981B.pdf | |
| BG301A | BG301A CHINA SMD or Through Hole | BG301A.pdf | |
| SG-636P8.0000MHZ | SG-636P8.0000MHZ EPSON SMD-4 | SG-636P8.0000MHZ.pdf | |
| MA8110-M | MA8110-M PANASONIC SOD-323 | MA8110-M.pdf |