창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB47N10S33ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx47N10S-33 | |
카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 175W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB47N10S-33 IPB47N10S-33-ND IPB47N10S-33TR IPB47N10S-33TR-ND IPB47N10S33 SP000225702 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB47N10S33ATMA1 | |
관련 링크 | IPB47N10S, IPB47N10S33ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | A102M15X7RH5UAA | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A102M15X7RH5UAA.pdf | |
![]() | GL6251-1.5ST23R | GL6251-1.5ST23R GL SOT-23 | GL6251-1.5ST23R.pdf | |
![]() | MBR6535 | MBR6535 MOT DO-5 | MBR6535.pdf | |
![]() | 193269 | 193269 NS CAN-8 | 193269.pdf | |
![]() | 214160000 | 214160000 SCHRACK SMD or Through Hole | 214160000.pdf | |
![]() | TI25(AFL) | TI25(AFL) TI SMD or Through Hole | TI25(AFL).pdf | |
![]() | 3.0SMCJ22A-13-F | 3.0SMCJ22A-13-F DIODES SMC(DO-214AB) | 3.0SMCJ22A-13-F.pdf | |
![]() | 50GG6474IBMBM1.1 | 50GG6474IBMBM1.1 N/A TQFP80 | 50GG6474IBMBM1.1.pdf | |
![]() | EB2-9NUE | EB2-9NUE NEC SMD or Through Hole | EB2-9NUE.pdf | |
![]() | PAE50/100 | PAE50/100 ORIGINAL SMD or Through Hole | PAE50/100.pdf | |
![]() | S29GL016A90FFIR20 | S29GL016A90FFIR20 SPANSION BGA | S29GL016A90FFIR20.pdf | |
![]() | S87C196MD | S87C196MD ORIGINAL 80-MQFP | S87C196MD.pdf |