창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB47N10S-33 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx47N10S-33 | |
카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 175W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPB47N10S-33CT IPB47N10S-33CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB47N10S-33 | |
관련 링크 | IPB47N1, IPB47N10S-33 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 520L10DT13M0000 | 13MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 2mA | 520L10DT13M0000.pdf | |
![]() | ASTMHTFL-24.000MHZ-ZR-E-T3 | 24MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-24.000MHZ-ZR-E-T3.pdf | |
![]() | CRCW0603442RFHEAP | RES SMD 442 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603442RFHEAP.pdf | |
![]() | EXB-E10C104J | RES ARRAY 8 RES 100K OHM 1608 | EXB-E10C104J.pdf | |
![]() | MSP10C0147K0GEJ | RES ARRAY 9 RES 47K OHM 10SIP | MSP10C0147K0GEJ.pdf | |
![]() | IX2533CEZZ | IX2533CEZZ SHARP DIP64 | IX2533CEZZ.pdf | |
![]() | PT78158L-6 | PT78158L-6 BOURNS SMD | PT78158L-6.pdf | |
![]() | 502I33 | 502I33 LINEAR SMD or Through Hole | 502I33.pdf | |
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![]() | 14-2-184 | 14-2-184 DIP- DALE | 14-2-184.pdf | |
![]() | DG445DVZ-T | DG445DVZ-T ITS SMD or Through Hole | DG445DVZ-T.pdf | |
![]() | 111105-7 | 111105-7 TYCO con | 111105-7.pdf |