창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB45N06S4L08ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx45N06S4L-08 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.9m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB45N06S4L-08 IPB45N06S4L-08-ND SP000374316 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB45N06S4L08ATMA1 | |
관련 링크 | IPB45N06S4, IPB45N06S4L08ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ERZ-V10D101 | VARISTOR 100V 3.5KA DISC 10MM | ERZ-V10D101.pdf | |
![]() | LT1371HVCRTRPBF | LT1371HVCRTRPBF LTC SMD or Through Hole | LT1371HVCRTRPBF.pdf | |
![]() | CAY10-7R5J2 | CAY10-7R5J2 ORIGINAL SMD | CAY10-7R5J2.pdf | |
![]() | STD5NM60ZT4 | STD5NM60ZT4 STM SMD or Through Hole | STD5NM60ZT4.pdf | |
![]() | LA71003 | LA71003 SANYO QFP-64P | LA71003.pdf | |
![]() | BA7049FS-E1A | BA7049FS-E1A ROHM SOP | BA7049FS-E1A.pdf | |
![]() | CL160808T-R27K-S | CL160808T-R27K-S YAGEO SMD or Through Hole | CL160808T-R27K-S.pdf | |
![]() | 2SC2784 | 2SC2784 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC2784.pdf | |
![]() | HMD841H-01-T | HMD841H-01-T ORIGINAL SMD or Through Hole | HMD841H-01-T.pdf | |
![]() | HRPG-ASCA#57C | HRPG-ASCA#57C AGILENT SMD or Through Hole | HRPG-ASCA#57C.pdf | |
![]() | MC68488P1 | MC68488P1 MOT DIP40 | MC68488P1.pdf | |
![]() | CD6464D,118 | CD6464D,118 NXP SMD or Through Hole | CD6464D,118.pdf |