창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB407N30NATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB407N30N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40.7m옴 @ 44A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7180pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001273344 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB407N30NATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB407N30, IPB407N30NATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 768161220GPTR13 | RES ARRAY 15 RES 22 OHM 16SOIC | 768161220GPTR13.pdf | |
![]() | GMA085R71A683MA01T | GMA085R71A683MA01T MURATA SMD or Through Hole | GMA085R71A683MA01T.pdf | |
![]() | RS3-2409D/H2 | RS3-2409D/H2 RECOM SIP8 | RS3-2409D/H2.pdf | |
![]() | ACH4518C-220-T | ACH4518C-220-T TDK SMD or Through Hole | ACH4518C-220-T.pdf | |
![]() | 5FN208C | 5FN208C ALTERA BGA | 5FN208C.pdf | |
![]() | DTN-M502J3G | DTN-M502J3G DTN SMD or Through Hole | DTN-M502J3G.pdf | |
![]() | AS2932M5-1.2/TR-LF | AS2932M5-1.2/TR-LF ASemi SOT23-5 | AS2932M5-1.2/TR-LF.pdf | |
![]() | AT27C512R12 | AT27C512R12 ATMEL SOP28 | AT27C512R12.pdf | |
![]() | SAB8205P | SAB8205P SIEMENS DIP | SAB8205P.pdf | |
![]() | CN22JT472 | CN22JT472 TAI-TECH SMD or Through Hole | CN22JT472.pdf | |
![]() | DS8820AJ/883 | DS8820AJ/883 NS DIP | DS8820AJ/883.pdf |