창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB320N20N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx320N20N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3G IPB320N20N3GATMA1 SP000691172 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB320N20N3 G | |
| 관련 링크 | IPB320N, IPB320N20N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VS-VSKV56/06 | MODULE THYRISTOR 60A ADD-A-PAK | VS-VSKV56/06.pdf | |
![]() | SPA15N60CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP | SPA15N60CFDXKSA1.pdf | |
![]() | CSACW2000MX03-T | CSACW2000MX03-T MURATA SMD | CSACW2000MX03-T.pdf | |
![]() | S77AB | S77AB ORIGINAL DIP | S77AB.pdf | |
![]() | S5D2510X04-D0B0 | S5D2510X04-D0B0 SAMSUNG DIP-16P | S5D2510X04-D0B0.pdf | |
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![]() | OMR-H-700 | OMR-H-700 OEG DIP SMD | OMR-H-700.pdf | |
![]() | MKI75-06A7T/MKI75-12E8 | MKI75-06A7T/MKI75-12E8 IXYS E2-Pack | MKI75-06A7T/MKI75-12E8.pdf | |
![]() | NB12L20683MBA | NB12L20683MBA AVX SMD | NB12L20683MBA.pdf | |
![]() | WM8985GEFL | WM8985GEFL WOLFSON QFN-32 | WM8985GEFL.pdf | |
![]() | 0805B-106M | 0805B-106M XYT SMD or Through Hole | 0805B-106M.pdf |