창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB240N03S4LR8ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB240N03S4L-R8 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.76m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 230µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 26000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000952928 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB240N03S4LR8ATMA1 | |
관련 링크 | IPB240N03S4, IPB240N03S4LR8ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CSD25202W15T | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | CSD25202W15T.pdf | |
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RSMF12JT1K00 | RES MO 1/2W 1K OHM 5% AXIAL | RSMF12JT1K00.pdf | ||
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![]() | 5PGD | 5PGD BIVAR DIP | 5PGD.pdf | |
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