Infineon Technologies IPB200N15N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB200N15N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB200N15N3 G 가격 및 조달
가능 수량
11550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,118.34328
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB200N15N3 G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB200N15N3 G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB200N15N3 G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB200N15N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB200N15N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB200N15N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx200N15N3 G | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1820pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB200N15N3 G-ND IPB200N15N3 GTR IPB200N15N3G IPB200N15N3GATMA1 SP000414740 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB200N15N3 G | |
| 관련 링크 | IPB200N, IPB200N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB200N15N3 G 의 관련 제품
 | UPW2D470MHD | 47µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | UPW2D470MHD.pdf | |
 | ESH2PBHM3/85A | DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA | ESH2PBHM3/85A.pdf | |
.jpg) | CR0805-FX-9311ELF | RES SMD 9.31K OHM 1% 1/8W 0805 | CR0805-FX-9311ELF.pdf | |
 | RG3216V-5620-P-T1 | RES SMD 562 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-5620-P-T1.pdf | |
 | CRCW12063R30FNEB | RES SMD 3.3 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12063R30FNEB.pdf | |
 | RNF14FTD3R65 | RES 3.65 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD3R65.pdf | |
 | LTV-816BG | LTV-816BG LITEON DIP4 | LTV-816BG.pdf | |
| LXLW-PWN1-0100 | LXLW-PWN1-0100 LML SMD or Through Hole | LXLW-PWN1-0100.pdf | |
| RM12BPE-5PH(71) | RM12BPE-5PH(71) HIROSEELECTRICCOLTD SMD or Through Hole | RM12BPE-5PH(71).pdf | |
| DM1001-7R | DM1001-7R ORIGINAL SMD or Through Hole | DM1001-7R.pdf | |
| S2K_R2_10001 | S2K_R2_10001 PANJIT SMD or Through Hole | S2K_R2_10001.pdf | |
| P4N266A CD | P4N266A CD VIA BGA | P4N266A CD.pdf |