창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB180P04P4L02ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB180P04P4L-02 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 410µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 286nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB180P04P4L02ATMA1TR SP000709460 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB180P04P4L02ATMA1 | |
관련 링크 | IPB180P04P4, IPB180P04P4L02ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | K184K20X7RF5TK5 | 0.18µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K184K20X7RF5TK5.pdf | |
![]() | RS2D-13-F | DIODE GEN PURP 200V 1.5A SMB | RS2D-13-F.pdf | |
![]() | RT0805BRB0743KL | RES SMD 43K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB0743KL.pdf | |
![]() | CRGS2512J22R | RES SMD 22 OHM 5% 1.5W 2512 | CRGS2512J22R.pdf | |
![]() | CIH10T15NJNE | CIH10T15NJNE SAMSUNG SMD | CIH10T15NJNE.pdf | |
![]() | 2SC2878 | 2SC2878 N/A TO92 | 2SC2878.pdf | |
![]() | A42MX09-1PQ100 | A42MX09-1PQ100 ACTEL SMD or Through Hole | A42MX09-1PQ100.pdf | |
![]() | RS-1210MR10FT | RS-1210MR10FT FENGHUA SMD or Through Hole | RS-1210MR10FT.pdf | |
![]() | MAX6896PALT | MAX6896PALT MAXIM SOT23-6 | MAX6896PALT.pdf | |
![]() | 49W9E | 49W9E ST SOP-8 | 49W9E.pdf | |
![]() | TRV5 | TRV5 TIANBO SMD or Through Hole | TRV5.pdf |