창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB180N04S401ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB180N04S4-01 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 140µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 176nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB180N04S4-01 IPB180N04S4-01-ND SP000705694 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB180N04S401ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB180N04S, IPB180N04S401ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 93C46BTSN | 93C46BTSN MICROCHIP SMD or Through Hole | 93C46BTSN.pdf | |
![]() | RD120E-T1 | RD120E-T1 NEC SMD or Through Hole | RD120E-T1.pdf | |
![]() | TDUHP112-00TC | TDUHP112-00TC ORIGINAL SMD or Through Hole | TDUHP112-00TC.pdf | |
![]() | AQY225NSX | AQY225NSX panasice SOP4 | AQY225NSX.pdf | |
![]() | TLGU13D | TLGU13D TOSHIBA ROHS | TLGU13D.pdf | |
![]() | 2SB559E | 2SB559E TOSHIBA DIP | 2SB559E.pdf | |
![]() | CHIPT359(P) | CHIPT359(P) Infineon SMD or Through Hole | CHIPT359(P).pdf | |
![]() | M4894EP | M4894EP NULL SOP | M4894EP.pdf | |
![]() | TMP87CM38N-1E71(M7 | TMP87CM38N-1E71(M7 TOSHIBA DIP | TMP87CM38N-1E71(M7.pdf | |
![]() | 2FC 1 | 2FC 1 AT SOP8 | 2FC 1.pdf | |
![]() | FQPF4N25 FQPF4N25C | FQPF4N25 FQPF4N25C ORIGINAL TO-220F | FQPF4N25 FQPF4N25C.pdf | |
![]() | 0.22UF 16V | 0.22UF 16V NEC A | 0.22UF 16V.pdf |