창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB180N04S400ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB180N04S4-00 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.98m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 230µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 286nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 22880pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB180N04S4-00 IPB180N04S4-00-ND SP000646176 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB180N04S400ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB180N04S, IPB180N04S400ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 79RC32H434-400BC | 79RC32H434-400BC IDT SMD or Through Hole | 79RC32H434-400BC.pdf | |
![]() | 0805C6N8JGT | 0805C6N8JGT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805C6N8JGT.pdf | |
![]() | MIP2930MY2GT | MIP2930MY2GT PAN TOP220 | MIP2930MY2GT.pdf | |
![]() | M30623MGP-E03GP#U3 | M30623MGP-E03GP#U3 RENESAS PEG214A-K | M30623MGP-E03GP#U3.pdf | |
![]() | HF115F/005-1Z3(257) | HF115F/005-1Z3(257) HGF SMD or Through Hole | HF115F/005-1Z3(257).pdf | |
![]() | 47620VD | 47620VD avetron 2011 | 47620VD.pdf | |
![]() | IDT7200L25SOI8 | IDT7200L25SOI8 IDT 28-SOIC | IDT7200L25SOI8.pdf | |
![]() | LXT6234QC | LXT6234QC INTEL QFP | LXT6234QC.pdf | |
![]() | AX3301U8A | AX3301U8A AXELITE MSOP-8L | AX3301U8A.pdf | |
![]() | T8-60CM | T8-60CM ORIGINAL SMD or Through Hole | T8-60CM.pdf | |
![]() | S5566BC | S5566BC TOSHIBA SMD or Through Hole | S5566BC.pdf | |
![]() | CTU-20U | CTU-20U SAK TO-220 | CTU-20U.pdf |