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Infineon Technologies IPB160N04S3-H2

IPB160N04S3-H2
제조업체 부품 번호
IPB160N04S3-H2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
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내부 부품 번호EIS-IPB160N04S3-H2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPB160N04S3-H2
카탈로그 페이지 1612 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C160A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.1m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 150µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs145nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9600pF @ 25V
전력 - 최대214W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB
공급 장치 패키지PG-TO263-7-3
표준 포장 1
다른 이름IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPB160N04S3-H2
관련 링크IPB160N0, IPB160N04S3-H2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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