창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB160N04S203ATMA4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB160N04S2-03 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001058962 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB160N04S203ATMA4 | |
관련 링크 | IPB160N04S, IPB160N04S203ATMA4 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MXO45-2I-4M0000 | 4MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 26mA Standby (Power Down) | MXO45-2I-4M0000.pdf | ||
RT1206FRE07324KL | RES SMD 324K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE07324KL.pdf | ||
PMB4729V2.7 | PMB4729V2.7 INFINEON TQFP | PMB4729V2.7.pdf | ||
KA22242(BA3312N) | KA22242(BA3312N) ROHM IC | KA22242(BA3312N).pdf | ||
DG417LDY-E3 | DG417LDY-E3 VIS SMD or Through Hole | DG417LDY-E3.pdf | ||
3433-6002 | 3433-6002 ORIGINAL NEW | 3433-6002.pdf | ||
IRDC357 | IRDC357 Jaecs SOP | IRDC357.pdf | ||
CEM8410 | CEM8410 ORIGINAL SOP8 | CEM8410 .pdf | ||
M57719/M | M57719/M MIT SMD or Through Hole | M57719/M.pdf | ||
CYWVSB6934-48LFXC | CYWVSB6934-48LFXC CYPRESS SMD or Through Hole | CYWVSB6934-48LFXC.pdf | ||
PVU412S | PVU412S IR SMD or Through Hole | PVU412S.pdf | ||
LUH-400V181MS27 | LUH-400V181MS27 ELNA DIP | LUH-400V181MS27.pdf |