창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB160N04S203ATMA4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB160N04S2-03 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001058962 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB160N04S203ATMA4 | |
| 관련 링크 | IPB160N04S, IPB160N04S203ATMA4 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | CK45-R3FD221K-NR | 220pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | CK45-R3FD221K-NR.pdf | |
![]() | 293D336X0004C2TE3 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 293D336X0004C2TE3.pdf | |
![]() | NJM2370U05-TEL1 | NJM2370U05-TEL1 JRC SOP-6 | NJM2370U05-TEL1.pdf | |
![]() | CA3028AT/3 | CA3028AT/3 HAR CAN | CA3028AT/3.pdf | |
![]() | 2N6653 | 2N6653 MOT/ST TO-3 | 2N6653.pdf | |
![]() | MT16HTF51264HZ-800C1 | MT16HTF51264HZ-800C1 MICRON SMD or Through Hole | MT16HTF51264HZ-800C1.pdf | |
![]() | EKMF401ELL470MMN3S | EKMF401ELL470MMN3S NIPPON SMD or Through Hole | EKMF401ELL470MMN3S.pdf | |
![]() | DS0056M | DS0056M DALLAS DIP8 | DS0056M.pdf | |
![]() | 74V1T32STR TEL:82766440 | 74V1T32STR TEL:82766440 ST SMD or Through Hole | 74V1T32STR TEL:82766440.pdf | |
![]() | GRM1554C1HR60WZ01D | GRM1554C1HR60WZ01D MURATA SMD | GRM1554C1HR60WZ01D.pdf |