창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB160N04S203ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB160N04S2-03 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB160N04S2-03 IPB160N04S2-03-ND SP000218151 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB160N04S203ATMA1 | |
관련 링크 | IPB160N04S, IPB160N04S203ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
STF1560 | DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AC | STF1560.pdf | ||
LQH43MN221K | LQH43MN221K MURATA SMD or Through Hole | LQH43MN221K.pdf | ||
LNK253GN-TL | LNK253GN-TL POWER SOP7 | LNK253GN-TL.pdf | ||
TPS2113A8EU | TPS2113A8EU TI SMD or Through Hole | TPS2113A8EU.pdf | ||
BAR15-1(L8) | BAR15-1(L8) INFINEON SOT23 | BAR15-1(L8).pdf | ||
BF244B | BF244B TEXAS SMD or Through Hole | BF244B.pdf | ||
RST 5 | RST 5 Bel SMD or Through Hole | RST 5.pdf | ||
74ACTQ657SCX | 74ACTQ657SCX FAIRCHILD SMD or Through Hole | 74ACTQ657SCX.pdf | ||
PSDV-3R33R3ELF | PSDV-3R33R3ELF PEAK SMD or Through Hole | PSDV-3R33R3ELF.pdf | ||
CL21F105MPCNNNE | CL21F105MPCNNNE SAMSUNG 1206 | CL21F105MPCNNNE.pdf | ||
1.3W2V0 | 1.3W2V0 FANGAO/ON/ST/VISHAY SMD DIP | 1.3W2V0.pdf |