창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB144N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.4m옴 @ 56A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB144N12N3 G-ND IPB144N12N3G IPB144N12N3GATMA1 SP000694166 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB144N12N3 G | |
관련 링크 | IPB144N, IPB144N12N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
06031A510GAT2A | 51pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A510GAT2A.pdf | ||
RT0805WRD0717R4L | RES SMD 17.4 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD0717R4L.pdf | ||
NCP1246BD065R2G | Converter Offline Flyback Topology 65kHz 7-SOIC | NCP1246BD065R2G.pdf | ||
C4474-1F23 | C4474-1F23 ORIGINAL QFP | C4474-1F23.pdf | ||
CTG24U | CTG24U ORIGINAL TO-220 | CTG24U.pdf | ||
TCS230 | TCS230 ORIGINAL SMD or Through Hole | TCS230.pdf | ||
10ZLH4700M12.5X30 | 10ZLH4700M12.5X30 RUBYCON DIP | 10ZLH4700M12.5X30.pdf | ||
MV66401 | MV66401 GPS DIP | MV66401.pdf | ||
Y57 | Y57 ORIGINAL SOT23 | Y57.pdf | ||
SS6466NF50 | SS6466NF50 STWCS SMD or Through Hole | SS6466NF50.pdf | ||
152/652 | 152/652 ORIGINAL PLCC-44 | 152/652.pdf | ||
ECV1ZW30X53T | ECV1ZW30X53T Panasonic SMD or Through Hole | ECV1ZW30X53T.pdf |