창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB123N10N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB123N10N3G, (IPP,IPI)126N10N3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.3m옴 @ 46A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 46µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB123N10N3 G-ND IPB123N10N3 GTR IPB123N10N3G IPB123N10N3GATMA1 SP000485968 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB123N10N3 G | |
| 관련 링크 | IPB123N, IPB123N10N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D130FXPAJ | 13pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D130FXPAJ.pdf | |
![]() | P5DU-0518ELF | P5DU-0518ELF PEAK DIP | P5DU-0518ELF.pdf | |
![]() | OPA643P | OPA643P BB 50TUBEDIP8 | OPA643P.pdf | |
![]() | CP55B2A | CP55B2A ORIGINAL DIP24 | CP55B2A.pdf | |
![]() | ICS1893BFILF-X | ICS1893BFILF-X ICS SOP | ICS1893BFILF-X.pdf | |
![]() | C1371C | C1371C NEC SMD or Through Hole | C1371C.pdf | |
![]() | TACL155M004RTA | TACL155M004RTA AVX SMD | TACL155M004RTA.pdf | |
![]() | 5240BLT1G | 5240BLT1G LRC SOT-23 | 5240BLT1G.pdf | |
![]() | L410111XFCA18BX | L410111XFCA18BX PRECISION SMD or Through Hole | L410111XFCA18BX.pdf | |
![]() | B82422A3151M100 | B82422A3151M100 SIEMENS SMD or Through Hole | B82422A3151M100.pdf | |
![]() | MB74ALS08 | MB74ALS08 FUJITSU DIP | MB74ALS08.pdf | |
![]() | M38122M4-259FP | M38122M4-259FP MIT QFP | M38122M4-259FP.pdf |