창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB120N08S404ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx120N08S4-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 179W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000989094 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB120N08S404ATMA1 | |
관련 링크 | IPB120N08S, IPB120N08S404ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CRCW06031K50JNTA | RES SMD 1.5K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW06031K50JNTA.pdf | ||
27.0000M | 27.0000M EPSON SMD or Through Hole | 27.0000M.pdf | ||
DTD123EK T146 | DTD123EK T146 ROHM SOT23 | DTD123EK T146.pdf | ||
8611-65-31-14-203000 | 8611-65-31-14-203000 SOURIAU SMD or Through Hole | 8611-65-31-14-203000.pdf | ||
8891CSCNG6JH8 | 8891CSCNG6JH8 TOSHIBA DIP-64 | 8891CSCNG6JH8.pdf | ||
TMP87CP38NR-3680 | TMP87CP38NR-3680 TOSHIBA DIP-42 | TMP87CP38NR-3680.pdf | ||
25V1000UF(10*20) | 25V1000UF(10*20) ORIGINAL SMD or Through Hole | 25V1000UF(10*20).pdf | ||
DF15S | DF15S varie SMD or Through Hole | DF15S.pdf | ||
VND610SP | VND610SP STM HSOP | VND610SP.pdf | ||
AXK59202031 | AXK59202031 NAIS SMD or Through Hole | AXK59202031.pdf |