창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB080N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB,IPP080N03L G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 47W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB080N03L G-ND IPB080N03LG IPB080N03LGATMA1 SP000304104 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB080N03L G | |
관련 링크 | IPB080N, IPB080N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 158LBA200M2EG | 1500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 165.79 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 158LBA200M2EG.pdf | |
![]() | CA000233R00KS70 | RES 33 OHM 2W 10% AXIAL | CA000233R00KS70.pdf | |
![]() | NTHS1006N02N5001JE | NTC Thermistor 5k 1006 (2515 Metric) | NTHS1006N02N5001JE.pdf | |
![]() | XRP7620IH-F | LED 드라이버 IC 4 출력 선형 I²C 조광 31.5mA 8-DFN(2x3) | XRP7620IH-F.pdf | |
![]() | 25YXA470MCR10X12.5 | 25YXA470MCR10X12.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 25YXA470MCR10X12.5.pdf | |
![]() | MS62256A20NC | MS62256A20NC MSL PDIP | MS62256A20NC.pdf | |
![]() | NT68167FG 11+ | NT68167FG 11+ NOVATEK SMD or Through Hole | NT68167FG 11+.pdf | |
![]() | CRYSTAL42.000 | CRYSTAL42.000 SMT SMD | CRYSTAL42.000.pdf | |
![]() | TB2929HO | TB2929HO TOS SMD | TB2929HO.pdf | |
![]() | GPLB34A1-061A-C | GPLB34A1-061A-C GENERALP DIE | GPLB34A1-061A-C.pdf | |
![]() | 110RKI20 | 110RKI20 IR TO-209ACSCRTO-94 | 110RKI20.pdf | |
![]() | CSTCE18M4V51-R0 | CSTCE18M4V51-R0 MURATA CERAMICRESONATOR | CSTCE18M4V51-R0.pdf |