창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB080N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB,IPP080N03L G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 47W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB080N03L G-ND IPB080N03LG IPB080N03LGATMA1 SP000304104 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB080N03L G | |
관련 링크 | IPB080N, IPB080N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RSAL-2006A | EMI FILTER 250VAC 6A FAST TERM | RSAL-2006A.pdf | |
![]() | HCM0503-4R7-R | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 60 mOhm Max Nonstandard | HCM0503-4R7-R.pdf | |
![]() | Y0785150K000B0L | RES 150K OHM 0.4W 0.1% RADIAL | Y0785150K000B0L.pdf | |
![]() | AD693SD/883 | AD693SD/883 AD DIP | AD693SD/883.pdf | |
![]() | CC1100RT | CC1100RT TI QFN20 | CC1100RT.pdf | |
![]() | ULQ2003AFG | ULQ2003AFG TOS SOP | ULQ2003AFG.pdf | |
![]() | STA1576Y | STA1576Y AUK SOT-323 | STA1576Y.pdf | |
![]() | 300UR120 | 300UR120 IR SMD or Through Hole | 300UR120.pdf | |
![]() | ECWF2W335JA | ECWF2W335JA PAS SMD or Through Hole | ECWF2W335JA.pdf | |
![]() | LXT970AQC/QC | LXT970AQC/QC ORIGINAL QFP | LXT970AQC/QC.pdf | |
![]() | 24P*0.5B*200MM | 24P*0.5B*200MM ORIGINAL SMD or Through Hole | 24P*0.5B*200MM.pdf | |
![]() | HCC4086BF | HCC4086BF ST DIP | HCC4086BF.pdf |