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Infineon Technologies IPB06N03LB

IPB06N03LB
제조업체 부품 번호
IPB06N03LB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
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IPB06N03LB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB06N03LB
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPB06N03LB
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.3m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 40µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2782pF @ 15V
전력 - 최대83W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지P-TO263-3
표준 포장 1,000
다른 이름IPB06N03LBT
SP000065274
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPB06N03LB
관련 링크IPB06N, IPB06N03LB 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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