창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB055N03LGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(B,P)055N03L G | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB055N03L G IPB055N03LGINTR IPB055N03LGINTR-ND IPB055N03LGXT SP000304110 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB055N03LGATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB055N03, IPB055N03LGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT5000AI-GE-18N0-20.000000T | OSC XO 1.8V 20MHZ NC | SIT5000AI-GE-18N0-20.000000T.pdf | |
![]() | 5500.2105 | FILTER LINE PWR MED M80 3A QC | 5500.2105.pdf | |
![]() | KTR10EZPF49R9 | RES SMD 49.9 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF49R9.pdf | |
![]() | H81K87BYA | RES 1.87K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H81K87BYA.pdf | |
![]() | 83433-B00000040-01 | PRESSURE SWITCH, 4PSI | 83433-B00000040-01.pdf | |
![]() | 65021901A | 65021901A TI TQFP | 65021901A.pdf | |
![]() | FDS8984_F40 | FDS8984_F40 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDS8984_F40.pdf | |
![]() | PEF22812FV2.2 | PEF22812FV2.2 inteL QFP-144 | PEF22812FV2.2.pdf | |
![]() | PE40F-160 | PE40F-160 SanRex SMD or Through Hole | PE40F-160.pdf | |
![]() | 1N53BR | 1N53BR MICROSEMI SMD | 1N53BR.pdf | |
![]() | MSCSTK-TDC-10000 | MSCSTK-TDC-10000 MSCDISTRI SMD or Through Hole | MSCSTK-TDC-10000.pdf |