창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB054N08N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx054,57N08N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB054N08N3 G-ND IPB054N08N3G IPB054N08N3GATMA1 SP000395166 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB054N08N3 G | |
관련 링크 | IPB054N, IPB054N08N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CR0402-FX-9102GLF | RES SMD 91K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-9102GLF.pdf | |
![]() | PHP00603E7501BBT1 | RES SMD 7.5K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E7501BBT1.pdf | |
![]() | ON35CL-P2 | ON35CL-P2 MOTOROLA SMD or Through Hole | ON35CL-P2.pdf | |
![]() | PE1145MEV-53.125M | PE1145MEV-53.125M ORIGINAL SMD or Through Hole | PE1145MEV-53.125M.pdf | |
![]() | HV343P | HV343P ORIGINAL DIP16 | HV343P.pdf | |
![]() | DS01-48S12 | DS01-48S12 DY SMD or Through Hole | DS01-48S12.pdf | |
![]() | WT7525-NG161WT-0C | WT7525-NG161WT-0C INFINEON SMD or Through Hole | WT7525-NG161WT-0C.pdf | |
![]() | N3024L | N3024L ORIGINAL TO-252 | N3024L.pdf | |
![]() | N760049CFKC231 | N760049CFKC231 MOT PLCC | N760049CFKC231.pdf | |
![]() | AIC010Y | AIC010Y ORIGINAL DIP | AIC010Y.pdf | |
![]() | 14001BMJ/BCAJC | 14001BMJ/BCAJC MOT CDIP14 | 14001BMJ/BCAJC.pdf |