홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » IPB04N03LA

Infineon Technologies IPB04N03LA

IPB04N03LA
제조업체 부품 번호
IPB04N03LA
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPB04N03LA 가격 및 조달

가능 수량

9003 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,573.81000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPB04N03LA 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB04N03LA 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB04N03LA가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPB04N03LA 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPB04N03LA 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB04N03LA
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPB04N03LA G
카탈로그 페이지 1613 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.9m옴 @ 55A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 60µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs32nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3877pF @ 15V
전력 - 최대107W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1
다른 이름IPB04N03LAINCT
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPB04N03LA
관련 링크IPB04N, IPB04N03LA 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPB04N03LA 의 관련 제품
390pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) CL05C391JB5NCNC.pdf
RES SMD 91 OHM 1% 1/2W MELF MMF50SFRF91R.pdf
3266P-1-200RLF BORUNS SMD or Through Hole 3266P-1-200RLF.pdf
IRF540NSTRR IR SOT220 IRF540NSTRR.pdf
CELMK325BJ475KD-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole CELMK325BJ475KD-T.pdf
FGV35 ORIGINAL SMD or Through Hole FGV35.pdf
SDV1608T-180ET SUNLORD SMD or Through Hole SDV1608T-180ET.pdf
TC74ACT86P TOSHIBA DIP TC74ACT86P.pdf
MLM204G MOT CAN MLM204G.pdf
CD4541BM96-TI ORIGINAL SMD or Through Hole CD4541BM96-TI.pdf
FQL40N50F/FQL40N50 ORIGINAL TO-3PL FQL40N50F/FQL40N50.pdf