Infineon Technologies IPB042N10N3GE8187ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB042N10N3GE8187ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 가격 및 조달
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8550 조각
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB042N10N3GE8187ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx0(42,45)N10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB042N10N3 G E8187 IPB042N10N3 G E8187-ND IPB042N10N3 G E8187TR-ND SP000939332 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB042N10N3GE8187ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB042N10N3GE, IPB042N10N3GE8187ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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