창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB042N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)042N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB042N03LG IPB042N03LGATMA1 IPB042N03LGINTR IPB042N03LGXT SP000304124 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB042N03L G | |
관련 링크 | IPB042N, IPB042N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
416F48013ADR | 48MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48013ADR.pdf | ||
CRCW0201133KFNED | RES SMD 133K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201133KFNED.pdf | ||
SFJ636 | SFJ636 INF DIP-6 | SFJ636.pdf | ||
MCB-201209-601-T | MCB-201209-601-T JAT 0805-601 | MCB-201209-601-T.pdf | ||
UPC2571GS | UPC2571GS NEC SSOP | UPC2571GS.pdf | ||
22-21/BHC-AN1P2/2C | 22-21/BHC-AN1P2/2C ORIGINAL SMD or Through Hole | 22-21/BHC-AN1P2/2C.pdf | ||
LC7230 | LC7230 ORIGINAL QFP | LC7230.pdf | ||
FA8107 | FA8107 FANUC SIP-16P | FA8107.pdf | ||
LPR2400ERDK-B | LPR2400ERDK-B RFM SMD or Through Hole | LPR2400ERDK-B.pdf | ||
ALX0059700 | ALX0059700 ORIGINAL SMD or Through Hole | ALX0059700.pdf | ||
S8353A33MCIQST2G | S8353A33MCIQST2G SEIKO SMD or Through Hole | S8353A33MCIQST2G.pdf |