창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB03N03LB G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB03N03LB | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7624pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPB03N03LBG IPB03N03LBGINCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB03N03LB G | |
| 관련 링크 | IPB03N0, IPB03N03LB G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 12063A272KAT2A | 2700pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063A272KAT2A.pdf | |
![]() | 0215002.MRGT1P | FUSE CERAMIC 2A 250VAC 5X20MM | 0215002.MRGT1P.pdf | |
![]() | MF72-001.3D20 | ICL 1.3 OHM 20% 9A 22.5MM | MF72-001.3D20.pdf | |
![]() | RC1218DK-0718RL | RES SMD 18 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0718RL.pdf | |
![]() | 1N2057 | 1N2057 IR DO-9 | 1N2057.pdf | |
![]() | IDM29901JC | IDM29901JC NSC CDIP | IDM29901JC.pdf | |
![]() | A462 | A462 TI SOP8 | A462.pdf | |
![]() | TDA2030AV(E) | TDA2030AV(E) STM TO-220 | TDA2030AV(E).pdf | |
![]() | AD28WSP01KR | AD28WSP01KR AD SOP28 | AD28WSP01KR.pdf | |
![]() | MT28F008B3VG9B | MT28F008B3VG9B MICRON TSOP40 | MT28F008B3VG9B.pdf | |
![]() | DB15-005 | DB15-005 SEMIKRON SMD or Through Hole | DB15-005.pdf | |
![]() | ELXY630EC5331ML20S | ELXY630EC5331ML20S NIPPON SMD | ELXY630EC5331ML20S.pdf |