Infineon Technologies IPB039N10N3GE8187ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB039N10N3GE8187ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB039N10N3GE8187ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,879.86800
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB039N10N3GE8187ATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB039N10N3GE8187ATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB039N10N3GE8187ATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB039N10N3GE8187ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB039N10N3GE8187ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB039N10N3GE8187ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB039N10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 160µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB039N10N3 G E8187 IPB039N10N3 G E8187-ND IPB039N10N3 G E8187TR-ND SP000939340 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB039N10N3GE8187ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB039N10N3GE, IPB039N10N3GE8187ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 의 관련 제품
 | F339X134733MFM2B0 | 0.047µF Film Capacitor 330V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F339X134733MFM2B0.pdf | |
 | IMP1-3W0-1I0-00-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP1-3W0-1I0-00-A.pdf | |
 | B82727E6443A40 | 1mH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 44A DCR 1.35 mOhm (Typ) | B82727E6443A40.pdf | |
 | CRA04S043180RJTD | RES ARRAY 2 RES 180 OHM 0404 | CRA04S043180RJTD.pdf | |
 | LP5952TLX-1.3/NOPB | LP5952TLX-1.3/NOPB NS SO | LP5952TLX-1.3/NOPB.pdf | |
| 0402-225KX5RM/6.3V | 0402-225KX5RM/6.3V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-225KX5RM/6.3V.pdf | |
| AOT-3806PW21B-N10-Y-3AA | AOT-3806PW21B-N10-Y-3AA AOT SMD | AOT-3806PW21B-N10-Y-3AA.pdf | |
| HYB-2K | HYB-2K ORIGINAL SMD or Through Hole | HYB-2K.pdf | |
| CSTCG26M0V53-R0 | CSTCG26M0V53-R0 MURATA SMD | CSTCG26M0V53-R0.pdf | |
| VE702248 | VE702248 INFINEON SOP14 | VE702248.pdf | |
| BLA0912-DTS | BLA0912-DTS NXP SMD or Through Hole | BLA0912-DTS.pdf |