창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB039N10N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB039N10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 160µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB039N10N3 G-ND IPB039N10N3 GTR IPB039N10N3G IPB039N10N3GATMA1 SP000482428 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB039N10N3 G | |
관련 링크 | IPB039N, IPB039N10N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ECQ-V1J684JM3 | 0.68µF Film Capacitor 63V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.402" L x 0.217" W (10.20mm x 5.50mm) | ECQ-V1J684JM3.pdf | |
![]() | FVXO-PC73BR-672.1627 | 672.1627MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FVXO-PC73BR-672.1627.pdf | |
![]() | CR1206-FX-25R5ELF | RES SMD 25.5 OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-25R5ELF.pdf | |
![]() | MCR18EZHJLR24 | RES SMD 0.24 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJLR24.pdf | |
![]() | RCP0505W82R0JEC | RES SMD 82 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W82R0JEC.pdf | |
![]() | EPCS16N | EPCS16N ALATER SOP16-7.2 | EPCS16N .pdf | |
![]() | VH2836. | VH2836. TI TSSOP48 | VH2836..pdf | |
![]() | T5BX1 | T5BX1 TOSHIBA BGA | T5BX1.pdf | |
![]() | 215MDA7BKA11FG | 215MDA7BKA11FG AMD BGA | 215MDA7BKA11FG.pdf | |
![]() | NB21K00153HBB | NB21K00153HBB AVX SMD | NB21K00153HBB.pdf | |
![]() | VT15-522 | VT15-522 LAMBDA SMD or Through Hole | VT15-522.pdf | |
![]() | L5A6124 | L5A6124 LSI DIP-28 | L5A6124.pdf |