창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB038N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB038N12N3 G-ND IPB038N12N3 GTR IPB038N12N3G IPB038N12N3GATMA1 SP000694160 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB038N12N3 G | |
관련 링크 | IPB038N, IPB038N12N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MLJ1608WR22KT000 | 220nH Shielded Multilayer Inductor 600mA 260 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLJ1608WR22KT000.pdf | |
![]() | TXD2SA-L-9V-4-X | TX-D RELAY2 FORM C 9V | TXD2SA-L-9V-4-X.pdf | |
![]() | AD705CQ | AD705CQ AD/PMI DIP8 | AD705CQ.pdf | |
![]() | BLF177,112 | BLF177,112 NXP SMD or Through Hole | BLF177,112.pdf | |
![]() | J2N3739 | J2N3739 STC SMD or Through Hole | J2N3739.pdf | |
![]() | MD2200-D08-X | MD2200-D08-X DISKONCHIP DIP | MD2200-D08-X.pdf | |
![]() | 1N4104 | 1N4104 Central DO-35 | 1N4104.pdf | |
![]() | 7079ZN3 | 7079ZN3 ORIGINAL SOP-8 | 7079ZN3.pdf | |
![]() | HC4912.000MHZ | HC4912.000MHZ HUDSON SMD or Through Hole | HC4912.000MHZ.pdf | |
![]() | CW24C02-DIP-SOP-TS | CW24C02-DIP-SOP-TS ORIGINAL SOPDIP | CW24C02-DIP-SOP-TS.pdf | |
![]() | LL142-01-01-3.0M | LL142-01-01-3.0M Mini NA | LL142-01-01-3.0M.pdf |