Infineon Technologies IPB038N12N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB038N12N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB038N12N3 G 가격 및 조달
가능 수량
9550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,749.37796
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB038N12N3 G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB038N12N3 G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB038N12N3 G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB038N12N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB038N12N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB038N12N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB038N12N3 G-ND IPB038N12N3 GTR IPB038N12N3G IPB038N12N3GATMA1 SP000694160 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB038N12N3 G | |
| 관련 링크 | IPB038N, IPB038N12N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB038N12N3 G 의 관련 제품
 | R413R32204000M | 0.22µF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.260" L x 0.512" W (32.00mm x 13.00mm) | R413R32204000M.pdf | |
.jpg) | 593D106X0020C2TE3 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2312 (6032 Metric) 450 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 593D106X0020C2TE3.pdf | |
 | MCT06030D3922BP100 | RES SMD 39.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D3922BP100.pdf | |
 | SMD10V1000 8*10 | SMD10V1000 8*10 RVT SMD | SMD10V1000 8*10.pdf | |
| TA0363F | TA0363F TST SMD | TA0363F.pdf | |
| ADM692AARN | ADM692AARN AD SMD or Through Hole | ADM692AARN.pdf | |
| DEM-9S | DEM-9S JAE STOCK | DEM-9S.pdf | |
| MP2002DD-LF-Z | MP2002DD-LF-Z MPS SMD or Through Hole | MP2002DD-LF-Z.pdf | |
| JL555BPA | JL555BPA NSC DIP | JL555BPA.pdf | |
| BA103244AFV-E2 | BA103244AFV-E2 ROHM SMD or Through Hole | BA103244AFV-E2.pdf | |
| RU4KG | RU4KG gulf SMD or Through Hole | RU4KG.pdf | |
| STM32P10SOE | STM32P10SOE ST BGA | STM32P10SOE.pdf |