창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB035N08N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx035N08N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 155µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8110pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB035N08N3 G-ND IPB035N08N3G IPB035N08N3GATMA1 SP000457588 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB035N08N3 G | |
관련 링크 | IPB035N, IPB035N08N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RP73PF1J27R4BTDF | RES SMD 27.4 OHM 0.1% 1/6W 0603 | RP73PF1J27R4BTDF.pdf | |
![]() | OM1345E-R58 | RES 130K OHM 1W 5% AXIAL | OM1345E-R58.pdf | |
![]() | R23D14A | R23D14A IR DO-9 | R23D14A.pdf | |
![]() | V10603MBXE-R | V10603MBXE-R VTC SMD | V10603MBXE-R.pdf | |
![]() | 2SC2796 | 2SC2796 MOTOROLA TO-3 | 2SC2796.pdf | |
![]() | PBL405-B | PBL405-B LITE-ON SMD or Through Hole | PBL405-B.pdf | |
![]() | MT1369FE/BN | MT1369FE/BN MTK QFP | MT1369FE/BN.pdf | |
![]() | SN430801K | SN430801K ARK SMD or Through Hole | SN430801K.pdf | |
![]() | BLM15AG121N1D | BLM15AG121N1D MURATA NA | BLM15AG121N1D.pdf | |
![]() | CSTLS8.000M | CSTLS8.000M ORIGINAL SMD or Through Hole | CSTLS8.000M.pdf | |
![]() | IXFR32N80P-ND | IXFR32N80P-ND IXYS TO-247 | IXFR32N80P-ND.pdf |