창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB034N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)034N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 94W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB034N03LG IPB034N03LGATMA1 IPB034N03LGINTR IPB034N03LGXT SP000304126 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB034N03L G | |
관련 링크 | IPB034N, IPB034N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MCR006YZPF5102 | RES SMD 51K OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YZPF5102.pdf | |
![]() | ERA-3EED6810V | RES SMD 681 OHM 0.5% 1/10W 1608 | ERA-3EED6810V.pdf | |
![]() | Y14870R02520D6R | RES SMD 0.0252 OHM 0.5% 1W 2512 | Y14870R02520D6R.pdf | |
![]() | GRM155R11C473KA01D | GRM155R11C473KA01D MURATA SMD or Through Hole | GRM155R11C473KA01D.pdf | |
![]() | TC4051BCP | TC4051BCP TOSH DIP | TC4051BCP.pdf | |
![]() | 1812B104K501CT | 1812B104K501CT WALSIN SMD | 1812B104K501CT.pdf | |
![]() | NJM556M-TE1 | NJM556M-TE1 JRC SMD or Through Hole | NJM556M-TE1.pdf | |
![]() | 4816P-D34-431 | 4816P-D34-431 BOU SOP | 4816P-D34-431.pdf | |
![]() | BR95010-W | BR95010-W ROHM SO8 | BR95010-W.pdf | |
![]() | M29W800DB0N6 | M29W800DB0N6 ST SOP | M29W800DB0N6.pdf | |
![]() | HI330S-3R3-MTW | HI330S-3R3-MTW RCD SMD | HI330S-3R3-MTW.pdf |