창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB030N08N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB030N08N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 155µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8110pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB030N08N3 G-ND IPB030N08N3G IPB030N08N3GATMA1 SP000444100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB030N08N3 G | |
| 관련 링크 | IPB030N, IPB030N08N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C0402C471M4RACTU | 470pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C471M4RACTU.pdf | |
![]() | PAT0805E1003BST1 | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E1003BST1.pdf | |
![]() | LTR10EVHFSR047 | RES SMD 0.047 OHM 1/2W 0805 WIDE | LTR10EVHFSR047.pdf | |
![]() | DSS9HB32E222Q92J | DSS9HB32E222Q92J MURATA SMD or Through Hole | DSS9HB32E222Q92J.pdf | |
![]() | UC2155 | UC2155 UNIDEN QFP | UC2155.pdf | |
![]() | MSM64P164 | MSM64P164 OKI QFP | MSM64P164.pdf | |
![]() | SWC-NB6576 | SWC-NB6576 ORIGINAL QFP | SWC-NB6576.pdf | |
![]() | SC32442B437081 | SC32442B437081 SAM SMD or Through Hole | SC32442B437081.pdf | |
![]() | IOR2470 | IOR2470 IOR SOP8 | IOR2470.pdf | |
![]() | EEVFK1J220P | EEVFK1J220P PANASONIC ORIGINAL | EEVFK1J220P.pdf | |
![]() | UC300 | UC300 SI CAN | UC300.pdf | |
![]() | BD-A516RD | BD-A516RD LEDBRIGHT DIP | BD-A516RD.pdf |