창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB030N08N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB030N08N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 155µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8110pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB030N08N3 G-ND IPB030N08N3G IPB030N08N3GATMA1 SP000444100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB030N08N3 G | |
관련 링크 | IPB030N, IPB030N08N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRCW06037M87FKEA | RES SMD 7.87M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06037M87FKEA.pdf | |
![]() | CMF55806K00DHBF | RES 806K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55806K00DHBF.pdf | |
![]() | AT-38086 TEL:82766440 | AT-38086 TEL:82766440 AGILENT SMT86 | AT-38086 TEL:82766440.pdf | |
![]() | L2A2368 | L2A2368 LSILOGIC BGA | L2A2368.pdf | |
![]() | STT112N65M5 | STT112N65M5 ST SMD or Through Hole | STT112N65M5.pdf | |
![]() | SG-615P10.0000MHZ.01% | SG-615P10.0000MHZ.01% EPSON SMD or Through Hole | SG-615P10.0000MHZ.01%.pdf | |
![]() | RC0402JR-07 10KL | RC0402JR-07 10KL YAGEOUSAHK SMD or Through Hole | RC0402JR-07 10KL.pdf | |
![]() | 74LV4052.. | 74LV4052.. PHILIP SOP | 74LV4052...pdf | |
![]() | XPT6302QFN | XPT6302QFN XPT QFN | XPT6302QFN.pdf | |
![]() | ZT3490LEEP | ZT3490LEEP ZYWYN 8 PDIP | ZT3490LEEP.pdf | |
![]() | TEP156M025SCS | TEP156M025SCS AVX SMD or Through Hole | TEP156M025SCS.pdf | |
![]() | ETC5058N/H | ETC5058N/H TOS SOP5.2 | ETC5058N/H.pdf |