창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB029N06N3GE8187ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ipx0(29,32)N06N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 118µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB029N06N3 G E8187 IPB029N06N3 G E8187-ND SP000939334 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB029N06N3GE8187ATMA1 | |
관련 링크 | IPB029N06N3GE, IPB029N06N3GE8187ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CM309E32000000ABJT | 32MHz ±50ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E32000000ABJT.pdf | ||
PE2512JKM070R01L | RES SMD 0.01 OHM 5% 1W 2512 | PE2512JKM070R01L.pdf | ||
320-0021-006 | 320-0021-006 ITT SMD or Through Hole | 320-0021-006.pdf | ||
ADC081S021CIMFX/NOPB | ADC081S021CIMFX/NOPB NS 8BIT1CH50-200KSPS | ADC081S021CIMFX/NOPB.pdf | ||
HMU1050-0R6 | HMU1050-0R6 ORIGINAL SMD or Through Hole | HMU1050-0R6.pdf | ||
SCA3000-E05PWB | SCA3000-E05PWB VTI SMD or Through Hole | SCA3000-E05PWB.pdf | ||
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HD74LS374FPEL-E-Q | HD74LS374FPEL-E-Q HITACHI SMD or Through Hole | HD74LS374FPEL-E-Q.pdf | ||
AD8638ARJZG4-REEL7 | AD8638ARJZG4-REEL7 AD Original | AD8638ARJZG4-REEL7.pdf | ||
1SMB85CA-E3 | 1SMB85CA-E3 VISHAY DO214AA | 1SMB85CA-E3.pdf | ||
RC0805JR-07 1.5M | RC0805JR-07 1.5M YAGEO SMD or Through Hole | RC0805JR-07 1.5M.pdf |