창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB020NE7N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB020NE7N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 273µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 37.5V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB020NE7N3 G-ND IPB020NE7N3G IPB020NE7N3GATMA1 SP000676950 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB020NE7N3 G | |
관련 링크 | IPB020N, IPB020NE7N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ST16C2850IM | ST16C2850IM EXAR QFP | ST16C2850IM.pdf | |
![]() | 6148-K420PH-02A | 6148-K420PH-02A ORIGINAL SMD or Through Hole | 6148-K420PH-02A.pdf | |
![]() | TNETD4100GJC | TNETD4100GJC TI BGA | TNETD4100GJC.pdf | |
![]() | IRF540N PB | IRF540N PB IR TO-220 | IRF540N PB.pdf | |
![]() | AM28F400B-90FC | AM28F400B-90FC AMD TSOP | AM28F400B-90FC.pdf | |
![]() | 195C7PCAOECF004A | 195C7PCAOECF004A ST DIP-56 | 195C7PCAOECF004A.pdf | |
![]() | SO-194S-WM-SD-T | SO-194S-WM-SD-T ORIGINAL SMD or Through Hole | SO-194S-WM-SD-T.pdf | |
![]() | 54LS175DM | 54LS175DM F DIP | 54LS175DM.pdf | |
![]() | DG407EJ | DG407EJ HARRIS DIP-28 | DG407EJ.pdf | |
![]() | MCP23508E/SS | MCP23508E/SS MICROCHIP SSOP29 | MCP23508E/SS.pdf | |
![]() | UPD75304BGF012-3B9 | UPD75304BGF012-3B9 NEC QFP | UPD75304BGF012-3B9.pdf |