창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB019N06L3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB019N06L3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 196µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 166nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB019N06L3 G-ND IPB019N06L3G IPB019N06L3GATMA1 SP000453020 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB019N06L3 G | |
관련 링크 | IPB019N, IPB019N06L3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D2R7DXPAP | 2.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R7DXPAP.pdf | |
![]() | GRM1886P1H9R2DZ01D | 9.2pF 50V 세라믹 커패시터 P2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886P1H9R2DZ01D.pdf | |
![]() | SIT3907AI-CF-25NH-81.920000T | OSC XO 2.5V 81.92MHZ | SIT3907AI-CF-25NH-81.920000T.pdf | |
![]() | ESR10EZPF1183 | RES SMD 118K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF1183.pdf | |
![]() | MTC-20278- | MTC-20278- ALCATEL QFP | MTC-20278-.pdf | |
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![]() | EP2-4G2ST | EP2-4G2ST NEC SMD or Through Hole | EP2-4G2ST.pdf | |
![]() | S13014 | S13014 ORIGINAL SMD or Through Hole | S13014.pdf | |
![]() | C1804 | C1804 COE SMD or Through Hole | C1804.pdf | |
![]() | BAP51LX T/R | BAP51LX T/R NXP SMD or Through Hole | BAP51LX T/R.pdf | |
![]() | MAX7401CSA | MAX7401CSA MAXIM SOP-8 | MAX7401CSA.pdf | |
![]() | 568K | 568K N/A SOT23-5 | 568K.pdf |