창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB017N10N5ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB017N10N5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 279µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB017N10N5ATMA1TR SP001227028 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB017N10N5ATMA1 | |
관련 링크 | IPB017N10, IPB017N10N5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ1210A101KXGAT5Z | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210A101KXGAT5Z.pdf | ||
AUIRF7737L2TR | MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET | AUIRF7737L2TR.pdf | ||
MLEAWT-H1-R250-0001AA | LED Lighting XLamp® ML-E White, Warm 2500K (1950K ~ 3063K) 3.2V 150mA 120° 4-SMD, J-Lead Exposed Pad | MLEAWT-H1-R250-0001AA.pdf | ||
SM102031004JE | RES 1M OHM 1W 5% RADIAL | SM102031004JE.pdf | ||
74AN24C04M8 | 74AN24C04M8 NS SOP-8 | 74AN24C04M8.pdf | ||
H0001215-7 | H0001215-7 HN DIP | H0001215-7.pdf | ||
RM04DTN6191 | RM04DTN6191 TA-I SMD | RM04DTN6191.pdf | ||
PCA84C122 | PCA84C122 PHI SOP20W | PCA84C122.pdf | ||
NH82801HB REV:SL9MN | NH82801HB REV:SL9MN INTEL BGA652 | NH82801HB REV:SL9MN.pdf | ||
293D016X0025C2T | 293D016X0025C2T VISHAY SMD or Through Hole | 293D016X0025C2T.pdf | ||
AO4407 | AO4407 AO SOP-8 | AO4407.pdf |