창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB011N04NGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB011N04N G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20000pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB011N04N G IPB011N04N G-ND SP000388298 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB011N04NGATMA1 | |
관련 링크 | IPB011N04, IPB011N04NGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
AT0603DRE07113RL | RES SMD 113 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE07113RL.pdf | ||
RT0603CRD0739R2L | RES SMD 39.2OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRD0739R2L.pdf | ||
CMF551M2800BHEK | RES 1.28M OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551M2800BHEK.pdf | ||
D431A | D431A DBIC SOT23-5 | D431A.pdf | ||
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4-1437063-6 | 4-1437063-6 TYC SMD or Through Hole | 4-1437063-6.pdf | ||
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ST1-DC12V/12VDC | ST1-DC12V/12VDC NAIS SMD or Through Hole | ST1-DC12V/12VDC.pdf |